场效应管50n04参数,k2608场效应管参数

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基本参数：电子部分型号：IPD50N04S4-10原厂：英飞凌技术标准参数：MOSFETN-CH40V50ATO252-3-313产品应用分类：单端场效应晶体管点击此处查询IPD50N04S4-技术规格手册10个数据型号：SUD50N04类型：N沟道场E影响晶体管电压(VDSS):40V漏极和源极导通电阻(RDS(on)):0.0088Ω封装:TO

一、场效应管50n06参数

≡(▔﹏▔)≡ 技术参数品牌：VISHAY型号：SUD50N04-8M8P-4GE3批号：2019+封装：TO-252数量：5000QQ：996505668制造商：Vishay产品类型：MOSFETRoHS：是技术：Si安装风格：SMD/S50N04是40V/50A低内阻MOS场效应晶体管。 东莞市宇鑫电子有限公司专业生产50N04，并提供50N04图片样品。如果您要找50N04，就可以找东莞市宇鑫电子有限公司。

二、场效应管50wn1k0参数

1、电气参数40N20场效应管的电气参数是指不同工作条件下的电气性能参数。 比较重要的参数有：1.漏源击穿电压（BVDSS）：当漏源之间的电压超过此值时，电路将被击穿。AH603060V3A内部电阻/75mΩ43W封装SOT23-3>>>NMOSFETAH30N10100V30A内部电阻/31mΩ85W封装TO252>>>NMOSFETAH808N80V100A内阻/6.5mΩ148W封装TO220-TO263>>>N

三、50n03场效应管参数

技术参数品牌：VISHAY型号：SUD50N04-8M8P-4GE3封装：TO-252批号：2019+数量：5000制造商：Vishay产品类型：MOSFETRoHS：是安装方式：SMD/SMTP封装/外壳：TO-252-3通道首页»OneCore产品中心»晶体管»FET»FETSUD50N04-8m8P参数场效应MOS晶体管SUD50N04-8m8P参数PD最大耗散功率： 48.1WID最大漏源电流：50AV(BR)DSS漏源击穿电压